英飞凌科技推出旨在提高智能手机数据速率的全新系列 LTE 低噪声放大器 (LNA) 和四频 LNA Bank。

    LTE（也称为 4G）是无线通信最新标准，支持高达 300 Mbit/s 的数据速率，而最新的 UMTS (3G) 版本仅支持 56 Mbit/s。这使得智能手机与互联网连接的加载时间大幅缩短，显著提高智能手机用户的舒适性和满意度。

    但是，使用目前的移动设备满足用户对 LTE 高数据速率的期望仍具有挑战性。射频前端复杂度的增加要求使用更多的射频组件（如射频开关、双工器和分路器）。这将导致整个系统的损耗增加并使信噪比 (SNR) 降低。不仅如此，天线和射频收发器之间的距离会导致额外的线路损耗，而线路损耗也会对信噪比 (SNR) 产生负面影响，进而降低数据速率。

    英飞凌 BGA7x1N6 和 BGM7xxxx4L12 系列提供低噪声系数、精确的增益和高线性度，可帮助智能手机设计师克服这些困难。这些产品采用英飞凌高级 SiGe（硅锗）芯片技术并内置 ESD 保护。

    新型 LNA 和 LNA Bank均可放置于智能手机的分集和主天线路径上，可增加系统灵敏度并确保最佳的用户体验。它们支持的数据速率比未配备 LNA 的解决方案高出 96%，可完全开发 LTE 的潜力。即使在天线隔离度较差并且天线与收发器之间存在较大线路损耗的情况下，新设备系列的高线性度仍可确保最佳接收性能。与未配备 LNA 的系统相比典型灵敏度提高了 3.4 dB，而所需设备尺寸却比之前可用的 LNA Bank小 61% (1.9 mm x 1.1mm)。

供货与包装

    英飞凌提供 3 款 LTE LNA 和 7 款四频 LNA Bank系列，可满足世界不同地区频带配置的要求。系列中的每个字母都代表不同的频带（L 代表低频，0.7 到 1.0 GHz 频带；M 代表中频，1.7 到 2.2 GHz 频带；H 代表高频，2.3 到 2.7 GHz 频带）。