罗姆于世界首次实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装
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| 罗姆于世界首次实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装 |
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作者：佚名 转贴自：罗姆 点击数：236 更新时间：2012-6-25 文章录入：pecker
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罗姆(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发 电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V 的第2 代SiC(Silicon carbide：碳化硅)MOSFET"SCH2080KE"。此产品损耗低，可靠性高，在各种 应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。
本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD 与SiC-MOSFET 的一体化封装。内部 二极管的正向电压(VF)降低70%以上，实现更低损耗的同时还可减少部件个数。
生产基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)，从6 月份开始出售样品， 从7 月份开始陆续量产。
※根据罗姆的调查(截至2012 年6 月14 日)
现在，在1200V 级别的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT，但尾电流和外置FRD 的恢复导致的功率转换损耗 较大，因此，更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET 的开发备受期待。但是，传统的SiC-MOSFET，体二极管通电 导致的特性劣化(导通电阻和正向电压的上升／耐性劣化)和栅氧化膜故障等可靠性方面的课题较多，之前无法实 现真正的全面导入。
此次，罗姆通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造，成功地攻克了包括体二 极管在内的可靠性方面的所有课题。而且，与传统产品相比，单位面积的导通电 阻降低了约30%，实现了芯片尺寸的小型化。
另外，通过独创的安装技术，还成功将传统上需要外置的SiC-SBD 一体化封 装，使SiC-MOSFET 的体二极管长久以来的课题—降低正向电压成为可能。
由此，与一般的逆变器中所使用的Si-IGBT 相比，工作时的损耗降低了70% 以上，实现了更低损耗的同时，还实现了50kHz 以上的更高频率，而且有助于外 围部件的小型化。
另外，此次还同时开发了与SiC-SBD 非同一封装的型号SiC-MOSFET"SCT2080KE"，提供满足不同电路构 成和客户需求的产品。
＜特点＞
1) SiC-MOSFET与SiC-SBD 一体化封装
成功实现"SCH2080KE"与传统上需要外置的SiC-SBD 的一体 化封装，降低了正向电压。可减少部件个数，而且有助于进一步 节省空间。产品阵容中还包括传统结构的"SCT2080KE"，可满 足客户的多种需求。
2) 无开启电压，具备卓越的电流电压特性
通过优化工艺和元件构造，与第1 代产品相比，单位面积的导通电阻降低约30%。不存在一般使用的Si-IGBT 长久以来所存在的开启电压，因此即使在低负载运转时损耗也很低。
3) 正向电压降低70%以上，减少了损耗和部件个数
SiC-MOSFET 的体二极管，在SiC 物质特性的原理上决定了其开启电压较大，高达2.5V 以上，常常成为逆变 器工作时的损耗。"SCH2080KE"集SiC-SBD 与SiC-MOSFET 于同一封装内，大大降低了正向电压。不仅损耗 更低，还可减少部件个数。
4) 无尾电流，可进行低损耗开关
由于不会产生Si-IGBT 中常见的尾电流，因此关断时的开关损耗可减少90%，有助于设备更加节能。另外，达 到了Si-IGBT 无法达到的50kHz 以上的开关频率，因此，可实现外围设备的小型化、轻量化。 |
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