设为首页
联系站长
加入收藏
 您的位置: Pecker's Home >> 文章频道 >> 业界新闻 >> 计算机 >> 正文
  英特尔发布“近阈值电压处理器”与“立方体”概念DRAM         
英特尔发布“近阈值电压处理器”与“立方体”概念DRAM
[ 作者:ugmbbc    转贴自:cnBate.com    点击数:654    更新时间:2011-9-16    文章录入:pecker

    英特尔在IDF演示了(Near-Threshold Voltage Processor)技术,它采用新型的超低电压电路,通过在接近晶体管阀值电压或启动电压的状态运行,从而大幅降低能耗。这款概念CPU在有必要时可以快速运行,在负载较轻时可把功率降低到10毫瓦以下——功耗很低,一个邮票大小的太阳能电池即足以提供PC所需的电力。

    这款实验芯片并非产品,但这项研究的成果可转化到未来各种产品上,这些集成了可扩展的近阀值电压电路,可把相关产品的能耗降低五倍或更多,从而将“始终开机”(always on)功能可应用于更广泛的计算设备。类似这样的技术将进一步推动实现英特尔研究院的目标:在无论是大规模数据处理还是便携式万亿级计算设备上,把各种应用的每单位计算能耗降低100到1000倍。

    混合内存立方体是美光公司与英特尔共同开发的概念式DRAM。与目前的DDR3相比,这种新的内存设计方法能够将能效提高7倍。混合内存立方体采用层叠式内存芯片配置,形成紧凑的“立方体”并使用高效的全新内存接口,为传输每比特数据的能耗设立了新的标杆,可支持每秒一万亿比特的数据传输速度。这项研究将有助于大幅改进服务器使之为云计算优化,以及超极本™、电视机、平板电脑和智能手机的性能。

分享到:
    免责声明:本文仅代表作者个人观点,与Pecker's Home无关。登载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字和图片(或其他媒体形式内容)的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺。请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。如果有侵犯版权事宜,请通知master@peckerhome.com,我们将在第一时间删除该信息。
  • 上一篇文章: 微软Build大会第2天:重量级开发工具发布,鲍尔默为开发者助威

  • 下一篇文章: 英特尔2014年将投产14nm工艺
  • 发表评论】【告诉好友】【打印此文】【关闭窗口
     最新5篇热点文章
    处理器架构消亡史[00140]
    通信恩仇,5G江湖[00281]
    官方辟谣扫码支付引爆加油…[00524]
    谷歌搭售是不是作恶?可以…[00285]
    你对Zigbee无线连接了解多…[00515]
     
     最新5篇推荐文章
    Pecker之家开通用于电子元…[02-13]
    印刷电路板图设计经验[04-04]
    基于电力线通信的家庭网络…[03-23]
    利用USB控制器设计的Windo…[01-20]
    基于ARM920T微处理器的IDE…[01-20]
     
     相 关 文 章
    英特尔并购FPGA巨头Altera…[00350]
    英特尔与展讯合作 欲同中国…[00324]
    博通退出手机基带业务 英特…[00299]
    英特尔公布2014路线图 包含…[00280]
    罗姆旗下LAPIS Semiconduc…[00254]

      网友评论:(只显示最新10条。评论内容只代表网友观点,与本站立场无关!)
        没有任何评论