飞思卡尔半导体日前推出7款性能卓越的 LDMOS RF功率晶体管，能够让WCDMA和CDMA2000基站发射器发挥Doherty放大器架构的全部潜力。

    Doherty架构迅速成为行业标准，提供非常出色的效率，但也为设计带来挑战，因为同时要求高效率和高线性是一个相互冲突的要求。飞思卡尔新推出的晶体管专门针对这种架构，成功地解决了这些难题，这样便可以创建功耗远低于传统晶体管设计的基站。

    其中两台设备在865 - 960 MHz 频段运行，另外两台在1930 -1990频段运行，还有三台设备在2110 - 2170 MHz频段运行，从而覆盖了最常用的手机、PCS和WCDMA频率。

这些新设备包括：

· MRFE6S9205H/HS：865 - 960 MHz、58 W平均输出功率、20.5 dB增益、34%效率、38 dBc ACPR
     (5-MHz偏移、3.84 MHz信道)

· MRFE6S9135H/HS：865 - 960 MHz、39 W平均输出功率、20 dB增益、34.5%效率、38 dBc ACPR
     (5-MHz偏移、3.84 MHz信道)

· MRF6S19200H/HS：1930 -1990 MHz、58 W平均输出功率、17.2 dB增益、29.5%效率、38 dBc ACPR
     (5-MHz 偏移、 3.84 MHz 信道)

· MRF6S19140HR3/HSR3：1930 -1990 MHz、29 W平均输出功率、16 dB增益、27.5%效率、
     51 dBc ACPR (885 kHz偏移、30 kHz信道)

· MRF7S21170HR3/HSR3：2110 - 2170 MHz、50 W平均输出功率、16 dB增益、31%效率、37 dBc ACPR
     (5-MHz偏移、3.84 MHz信道)

· MRF6S21190HR6：2110 - 2170 MHz, 54 W平均输出功率、16.4 dB增益、30%效率、-38 dBc ACPR
     (5-MHz偏移、3.84 MHz信道)

· MRF6S21140HR3/HSR3：2110 - 2170 MHz, 30 W平均输出功率、15.5 dB增益、27.5%效率、41 dBc
     (5-MHz偏移、3.84 MHz信道) ACPR

    所有这些设备以磁带和卷轴形式提供，全部采用+28V操作电压，具有完整的ESD保护功能。它们能够在不造成任何破坏的情况下处理5:1 VSWR，并且安装于符合RoHS的高热传导性气泡陶瓷封装中。

    飞思卡尔副总裁兼射频部总经理Gavin P. Woods表示："与其他类型的放大器相比，Doherty放大器固有的高效率特性能够降低基站每年的功耗，这样飞思卡尔便能够服务提供商客户提供运行成本最低的产品。但是为了充分发挥产品的全部潜力，Doherty放大器需要专门为此量身定制的射频功率设备。飞思卡尔是第一家提供这些Doherty优化的、高功效设备的公司，为了最大限度地利用这种独特的放大器架构，这些设备都是全新设计的。"

Doherty带来的挑战

    Doherty放大器具有独特的性能，支持非常高的效率。如果设计适当，它的效率比无线基站发射器过去采用的标准的平行AB 类放大器要高出11-14%。在2007年IEEE MTT-S 国际微波大会上，飞思卡尔将在周二的IMS TH3A-02会议发表论文，重点介绍如何使用飞思卡尔最新MRF6ES9205H的900 MHz Doherty放大器。

    Doherty放大器由两个放大器---载波和峰值放大器组成。两种放大器在差异很大的条件下运行。Doherty放大器的射频功率晶体管必须在下面两种情况下提供出色的输出阻抗匹配：一是在线性操作情况下，这时载波放大器的射频驱动级别为"后退"，以确保高线性和效率；二是由峰值放大器处理峰值（最大）信号的情况。飞思卡尔在创建7款新LDMOS 设备时，面临的难题是如何优化设备结构和输出阻抗匹配，才能适应两种信号条件，并且还要满足Doherty架构自身的需求。

    对于没有优化的Doherty放大器，可以应用射频功率设备来满足它的独特需求。但是，为了提供最高性能，这些设备必须专用于峰值均值比高的应用，例如Doherty 放大器。飞思卡尔选用这种难度更大的方法，克服了相关挑战，提供比业界任何射频功率设备都好的Doherty放大器效率、线性和阻抗匹配组合。

供货信息

    飞思卡尔推出的7款新型LDMOS设备目前正在提供样品。飞思卡尔提供的产品介绍和Doherty参考设计用于评估目的。如需了解具体的定价信息，请联系飞思卡尔半导体、本地飞思卡尔销售办事处或飞思卡尔授权经销商。