Samsung三星日前宣布，他们已经创造出业界第一款采用了20nm的制造工艺的DDR2.0 64Gb NAND Flash闪存芯片。三星表示，新的芯片主要针对只能手机、平板电脑和SSD固态硬盘，且完全可以满足此类产品的高性能需求。 

　　据介绍，这款全新的 64Gb MLC芯片每秒钟可以传输高达400Mbps（megabits兆）的数据，相当于目前主流SLC NAND 闪存10倍的速度，同时该传输速度也比的同款的DDR 1.0芯片（133Mb）快约3倍的速度。

　　三星称，新研发出的这款64Gb的NAND芯片与自家4月份发布的20nm级32Gb NAND闪存相比，整体效能提高了50%，而与30nm的32Gb MLC NAND相比则有超过两倍的性能提升。

　　随着越来越多的移动产品和消费电子设备添加新的高性能接口，该DDR 2传输类型且高达400Mbps传输速度的芯片，也将有助于此类设备更好的支持新的高性能接口，如：USB 3.0 and SATA 6.0Gbps接口。

　　此外，三星还表示，预计这款更高密度的20nm级64Gb NAND闪存将占2012年NAND闪存总出货量的70%，较2010年水平增加3%。