SanDisk东芝联合发布19纳米级NAND闪存芯片
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| SanDisk东芝联合发布19纳米级NAND闪存芯片 |
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作者：佚名 转贴自：威锋网 点击数：627 更新时间：2011-5-12 文章录入：pecker
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继上个月东芝发布24纳米级闪存之后，全球储存卡产品供应商两巨头SanDisk和东芝合作，再度突破闪存大小和容量的桎梏，制造出19纳米级闪存芯片模块。
随着市场对内置存储设备容量要求越来越高，而对体积要求越来越小，各大厂商开始向纳米级NAND存储进军。前不久英特尔和镁光刚刚发布了20nm制造工艺的NAND闪存芯片，Sandisk和东芝自然不甘落后，以最快的速度为我们带来了19nm制造工艺的NAND闪存产品。该项工艺运用X2（二位元）64 千兆单片机，配备了DDR2.0触发器，保障稳定性和传输速度。新的19nm闪存可能在四月末投入量产，并计划从第三季度起由东芝生产进一度性能提升的 X3（三位元）闪存产品。
由于19nm制造工艺将闪存的尺寸进一步缩小，从而能够将16片64Gbit密度的NAND闪存芯片安装在同一个封装单位内，这样128GB容量的闪存芯片单元就能够开始应用，这意味着手机、MP4、平板等产品都能够一举将容量提升至128G,“海量”存储时代即将到来。 |
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