瑞萨电子株式会社（以下简称瑞萨电子）于近日推出5款面向网路设备的高速存储器产品576Mb（Mbit）Low Latency DRAM，品名分别为μPD48576109、 μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新产品将于即日起提供样品。

    与公司原有288Mb Low Latency DRAM「μPD48288236」产品相比，新产品最大的特点是其存储容量提升至原有产品的2倍因而实现了大容量化。此外，其高速数据读写随机周期性能在原先产品基础上提高了25%。另一方面，尽管最高操作频率提高了33%，其耗电却比原有产品降低了10%。

    由于新产品的单位存储器容量功耗低，比公司原有产品大幅度节省了能源，因此更便于解决网络设备设计上的散热问题。

    目前新产品样片价格为5,000日元。瑞萨电子计划于2011年下半年起实现该产品的批量生产，同时预计到2012年实现5种产品共计年产200万件以上。

    随着宽带网络的普及和云计算的推广，利用网络来进行大容量数据交换的方式越来越普遍，这导致了网络流量的急剧增长。为了使流量处理更顺畅，同时降低功耗实现节能环保，交换机及路由器等网络设备需要内置更大容量、更高速、更低功耗的存储器。

    瑞萨电子此次推出的新产品，正是为了满足网络设备的上述需求。新产品详细优势如下：

    (1) 实现了大容量、高速及低功耗

    新产品充分利用了瑞萨电子在高速存储器领域长期积累的高速sense amplifier和?低功率存储器开发经验与技术，采用了操作时将启动的存储器阵列保持在最小限度的控制方式，这使其与公司原有产品相比实现了数据读写的进一步高速化与功耗的大幅降低。新产品的存储容量为576Mb，是公司原有产品288Mb的2倍；同时，其高速数据读写随机周期性能也提高了25%，从20ns(纳秒)缩短到15ns；此外，尽管最高操作频率从原有的400MHz（兆赫）提高了33%达到533MHz，其耗电量却比原有产品降低了10%以上。

    (2) 采用与旧款产品同样尺寸的封装，使开发周期更为缩短

    虽然存储器容量扩大了一倍，新产品却仍采用与原有产品相同的11mm×18.5mm封装尺寸，该封装尺寸拥有大量应用实绩，其高可靠性已得到市场普遍认可。另外，新产品在印刷电路板的设计上没有大的变更。通过存储器的大容量化和高速化，本次的新产品不仅可使系统整体性能得到提高，还能使可靠性与电特性上的风险得到降低。

    作为目前能够向网络设备存储器领域提供QDR SRAM，Low Latency DRAM，TCAM（Ternary Content Addressable Memory）的全球唯一一家制造厂商，瑞萨电子此前已推出了从18Mb到72Mb的QDR SRAM、TCAM、288Mb及1.1Gb（Giga bit）Low Latency DRAM等产品。此次，瑞萨电子又通过576Mb Low Latency DRAM新产品的市场投放，进一步扩充了其面向网络设备存储器的产品阵容。

    为了应对交换机、路由器等网络设备在高性能化与节能省电方面日益增长的需求，此次的新产品定位为高性能和低功耗，计划在全球范围内推广销售。今后，瑞萨电子将以成为全球产品阵容最丰富最齐全的厂商为目标，不断开发应用于尖端技术的网络设备存储器产品，扩大公司在网络存储器领域的市场份额，力争将2009年度全球No.1的40％扩大到2012年度的60％。