美信推出1M x 8非易失(NV) SRAM模块DS3065WP
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| 美信推出1M x 8非易失(NV) SRAM模块DS3065WP |
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作者：佚名 转贴自：美信 点击数：525 更新时间：2010-11-29 文章录入：pecker
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美信推出1M x 8非易失(NV) SRAM模块DS3065WP，器件在PowerCap封装中集成了嵌入式实时时钟(RTC)和电池。DS3065WP扩展了Maxim NV SRAM模块产品线所支持的存储器密度，使系统设计人员无需对PCB布局进行较大改动即可实现由较低存储器密度的系统移植。器件非常适合用于数据采集系统、销售点终端以及其它需要不断更新和存储时戳数据的系统。
对于需要不断更新和存储时戳数据的系统，带电池备份的SRAM能够无限次地进行读写操作，而闪存和EEPROM等其它类型的NV存储器则不具备该功能。电池备份SRAM的数据存储时间与电池大小以及SRAM、RTC、电池切换电路等模块所需的电池电流有关。如果单独购买各个元件来构建分立方案，则需要与多个供应商进行协调，满足各个元件自身的指标要求，还可能需要额外的筛选过程。Maxim完备的存储器模块为系统设计人员提供了统一的货源，确保所有元件能够协同工作，达到规定的电池寿命指标。
DS3065WP采用34引脚PowerCap无铅封装，该封装分为两部分，可表贴处理。基本单元包括SRAM和RTC，放置在PCB模块内，能够采用标准的IR回流焊。电池和晶体位于电池帽中，在完成与温度和清洗相关的处理后安装。
DS3065WP工作在-40°C至+85°C扩展工业级温度范围，芯片起价$38.50 (1000片起，美国离岸价)。
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