IR的新款高性能PQFN 3 x 3封装是生产技术改进的成果，以全新紧凑的占位空间提供比标准PQFN 3 x 3器件高出多达60%的负载电流能力，同时极大地减少了整体封装电阻，从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) 。除了低导通电阻，新的高性能PQFN封装加强了热传导率并提高了可靠性，且符合工业标准及MSL1湿度敏感性测试。

    这一高性能PQFN封装技术也适用于5 x 6 mm占位面积的器件，与标准PQFN 5 x 6 器件相比，在设计要求更多电流时无需增加额外占位面积。

    该系列产品包括用作控制MOSFET的优化器件，具有低栅极导通电阻 (Rg) ，以减少开关损耗。在同步MOSFET应用方面，新器件以FETKY (单片式FET及肖特基二极管) 配置形式提供，从而缩短反向恢复时间，以提高效率和EMI性能。

    IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“全新系列高性能PQFN 封装器件专为DC-DC 应用优化，是非常可靠且灵活的高密度解决方案。此外，随着IR 对PQFN 产品的扩展，客户现在可以从众多封装组合中挑选出使他们的设计达到最佳效果的产品。”

    新器件的高度小于1 mm，与现有表面贴装技术兼容，并拥有行业标准引脚，还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。