瑞萨电子预计，2010财年到2012财年化合物半导体市场的年平均增长率将达到8%。实现这一目标之后，公司预计可以将其化合物半导体业务扩大11%，超过了市场增长率。公司还计划，到2012财年将化合物半导体销售额提高1.2倍，从而成为业内领先的化合物半导体供应商。

• (1) 利用光电耦合器、RF开关IC和其他重点产品获取世界最大的市场份额

  瑞萨电子的目标是在光电耦合器和光学存储器件 (注释 2) 市场上获取最大的份额，并进一步提高其RF开关IC和GaAs低噪声场效应晶体管 (FETs, 注释 3)

  • [光电耦合器]

    瑞萨电子计划加快开发高温操作、低功耗和小型封装，以便满足 “绿色” 市场不断增长的需求，如混合动力和电动车、LED照明系统与电表。
    公司计划通过结合面向高压和大电流输出的IGBT（绝缘栅双极晶体管）与微控制器（MCU）来进一步拓展光电耦合器的销售。公司特别决定通过将职员总数增加1倍来加强其海外营销职能。
    并且，市场需求预计将会大幅增长，因此瑞萨电子计划将其生产容量在2009年第4季度的基础上扩大1倍。
    通过上述措施，瑞萨电子将努力在2011财年获取光点耦合器市场世界最大份额。

  • [RF 开关 ICs]

    至于可以在具有RF功能的电子器件（如手机和笔记本电脑）上实现收发转换、3G-GSM转换和天线转换的RF开关IC，瑞萨电子计划采用业内领先的新型低损耗晶体管，并推出采用小型封装技术的产品。
    为了灵活地满足客户需求，瑞萨电子将推出采用超小型封装的RF开关IC产品或以裸晶片的形式推出RF开关IC。公司还计划通过与美国、欧洲和中国台湾的芯片集供应商合作来扩展RF开关IC业务，从而为系统制造商提供参考设计。
    通过实现这些目标，瑞萨电子力图获取世界最大的RF开关IC市场份额。

• (2) 在2011年3月之前推出GaN基半导体产品

  GaN 能够在比现有半导体材料（如硅（Si）和GaAs）高的频率、输出功率和温度下运行，并且其工作频率比SiC（碳化硅）高得多，因而能够为高频应用实现更高的击穿电压和高速操作。
  与其他将多层制造方法应用到直径为3~4英寸的SiC基片上的公司不同，瑞萨电子通过将GaN层堆叠到Si基片上来生产电路。这种方法可以实现更大的晶圆（6英寸晶圆），并且还能够以较低的成本生产半导体器件。
  瑞萨电子计划先推出面向CATV（有线电视）放大器市场的、高可靠性、高功能GaN基产品。预计2011年3月开始发售瑞萨电子的首款GaN基产品样品 - 一款面向CATV的标准器件，它整合了多个GaN FET、冷凝器和其他器件。

    今后，瑞萨电子将力图进一步提高其重点产品（如光电耦合器和RF开关IC）的市场份额，并通过培育需要大功率和高频率的市场（如CATV放大器、微波和毫米波器件）、利用新开发的GaN基产品扩展化合物半导体业务。

• (注释 1) 资料来源：瑞萨电子。
• (注释 2) 可见激光二极管、PDIC。
• (注释 3) FET（场效应晶体管）：一种能够实现高速转换的晶体管结构。