新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 适用于汽车 D 类音频系统的 DirectFET®2 功率 MOSFET 阵营，并利用低栅极电荷 (Qg) 作出优化，来改善总谐波失真 (THD) 和提高效率，而低二极管反向恢复电荷 (Qrr) 则进一步改善了总谐波失真，降低了电磁干扰 (EMI) 。

    AUIRF7640S2 和 AUIRF7647S2 小罐器件的封装尺寸比 SO-8 小，更能够为没有散热片的 8Ω 负载提供每通道 100W 的功率，由此可以提供非常紧凑的 D 类解决方案，是节省多通道电路板空间的理想选择。AUIRF7675M2 中罐器件的封装尺寸比 DPak 小54% ，能够为没有散热片的 4Ω 负载提供每通道 250W 的功率，使其非常适合 D 类音频系统的亚低音输出级。

    IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示："新款 DirectFET®2 器件是对之前推出的AUIRF7665S2 的补充，为设计师提供了适用 D 类音频系统不同功率等级的替代额定电压和导通电阻。"

    正如所有的 DirectFET® 产品一样，新器件提供了最小的热阻抗以及寄生电阻和电感，能够提供出色的功率密度和双面冷却效率。

    新器件符合 AEC-Q101 标准，是在IR 要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。