美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）（美国纽约证券交易所上市代码：NSM）宣布推出一款型号为LM5119的高压、双通道、双相同步降压控制器，具有模拟电流模式（ECM）控制功能。LM5119芯片可以在高达65V的输入电压下直接获得单路或双路大电流稳压输出，简化高压直流/直流转换系统设计，同时，相对于采用两个转换级的同类解决方案，其印刷电路板（PCB）占位面积可缩小达50%。LM5119芯片独具性能卓越、设计灵活及易于使用等特性，使其满足通信设备、汽车系统以及工控领域等对精确的电压调节能力的严苛要求。该芯片壮大了美国国国家半导体高压同步降压控制器系列的产品阵容，满足更高的负载电流需求。

    当前的通信设备、汽车系统及工控领域对电源供给有严格要求，供电系统必须能够利用动态范围较大的高输入电压在负载电流上升的情况下提供稳定的低压输出，与此同时，要满足严苛的PCB空间及电源效率要求。传统方案必须具有两个直流/直流转换级，一个负责调整中间总线电压（约9V至12V），另一个负责调整负载电压，个别的负载电压可低至1V，而电流则可超过20A。美国国家半导体的LM5119芯片可以利用一个输入电压提供两个稳压输出，无需采用低效且须多加两倍元器件的中间总线转换级。美国国家半导体专有的模拟电流模式控制技术可以精确实现高压应用中必须的极低占空比，以确保输出电压的精确调节及出众的瞬态响应表现。对于大电流的输出要求，两个稳压输出可并行连接一起，以便利用交替开关切换功能提供最高可达40A的负载电流，从而最小化输入及输出电容。

LM5119降压控制器的技术特性

    美国国家半导体的LM5119芯片适用于5.5V至65V的宽电压范围，提供0.8V，精度达1.5%的参考电压，芯片利用该参考电压可以精确地调节0.8V至90%输入电压值范围内的负载电压。用户可自行设置工作频率，范围在50kHz至750kHz之间，并可与外部时钟信号同步。这款芯片设有二极管仿真模式（DEM），在轻负载时可以在非连续的电感电流模式下运作，从而提高效率。DEM模式可将启动电压控制在指定范围内，之后连入预偏置负载中，从而避免电流流入同步MOSFET。此外，内置的高压偏压稳压器可以通过自动切换功能改以外部偏压供电，这样可将效率进一步提升。其他特性还包括：热关断、周期性及打嗝模式限流功能以及可调整的线路欠压锁定。而较宽的输入电压（Vin）范围、多相位操作、可编程软启动、输入欠压锁定功能（UVLO）以及二极管仿真模式可确保系统设计师在设计各类系统时的灵活性与控制性。

    LM5119芯片采用32引脚的LLP封装，大小只有5mm x 5mm。如欲查询进一步的资料或订购有关产品的样品及评估电路板，可浏览网页：http://www.national.com/pf/LM/LM5119.html。

    对于要求输入电压范围在4.5V至42V的系统，可选用另一款型号为LM25119的芯片。如欲查询进一步的资料或订购有关产品的样品及评估电路板，可浏览网页： http://www.national.com/pf/LM/LM25119.html。

价格及供货情况

    LM5119芯片的单颗售价为4.05美元，而LM25119芯片的单颗售价则为3.80美元，两款芯片都以 1,000颗为采购单位，并已批量供应。