内存有DDR,闪存也可以,东芝今天公布了全新的NAND Flash 储存器 DDR技术,将SSD的理论传输速度增加2-3倍。这种基于32纳米的MLC/SLC芯片有着比一般产品快得多的接口,可以同时传输更多数据,并且新的技术并不增加功耗,也不需要增加运行频率来保证数据顺畅。
目前还不知道有哪种产品将利用这种闪存技术,但4、8、16GB的三种容量型号很快就将出现,这种技术可用于媒体播放器、智能手机、平板等需要快速访问的设备商。