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  美国国家半导体推出业界最低噪声的超高速放大器LMH6629         
美国国家半导体推出业界最低噪声的超高速放大器LMH6629
[ 作者:佚名    转贴自:美国国家半导体    点击数:369    更新时间:2010-6-2    文章录入:pecker
    美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)(美国纽约证券交易所上市代码:NSM)宣布推出一款业界最低噪声的全新超高速运算放大器。这款型号为LMH6629的PowerWise®芯片在10倍增益及900MHz -3dB带宽操作时,其噪声低至0.69nV/sqrt Hz。这款芯片将高带宽、大增益以及精准的信号放大性能等多种优势集为一体,特别,适合于对要求噪声减至最低的系统16位的通信系统、测试和测量设备、医疗成像系统、工业设备及激光测速系统等等。 

    LMH6629芯片的输入电流噪声也极低(只有2.6pA/sqrt Hz),在输入频率为 1MHz时,第2及第3谐波失真分别只有 -90dBc 及 -94dBc。这款运算放大器不但具备低输入噪声、低失真及高速的优点,而且直流电误差极低,在摄氏25度时的最高输入偏移电压只有780uV,输入偏移电压漂移温度系数(TCVos)则低至每度(摄氏)只有+/-0.45uV,从而确保交流及直流耦合系统信号的准确无误。 

    LMH6629芯片的输入共模电压范围在接地电压以下,而输出电压摆幅不超过 +/-0.8V,线性输出电流则高达 +/-250mA 以上。这款PowerWise运算放大器适用于 2.7V至5.5V之间的供电电压范围,耗电只有15.5mA。由于这款芯片设有内部补偿这个功能,因此系统无需加设外部补偿电路,用户也无需为此花费额外的设计时间,在这两方面都优于其他放大器。系统设计工程师只要将最低增益选择引脚拉上或拉下,便将LMH6629芯片的最低增益设置为 4 或 10。

    LMH6629芯片采用美国国家半导体全新CBiCMOS8硅锗(SiGe)互补双极CMOS工艺技术制造。CBiCMOS8是目前业界最先进的模拟工艺技术,其独特之处是将硅锗NPN及PNP晶体管集成在单芯片之内,另外还集成了低功率CMOS晶体管,使这款芯片无论在速度、线性特性、电路密度、功率及噪声等方面都具备卓越表现,从而满足高速模拟系统的严格要求。

价格及供货情况

    LMH6629芯片采用8引脚LLP封装,适用于更大的工业温度范围(摄氏零下40度至125度),现已开始批量供货,采购以1,000颗为单位,每颗售价1.88美元。
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