AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 高侧驱动器的开关传输时间非常短，可以在更高的频率下驱动MOSFET或IGBT，由此可通过使用更小的滤波元件缩小系统尺寸。

    IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“AUIRS2117S 和 AUIRS2118S拓展了IR的汽车用IC产品。两款器件提供了可靠的紧凑型设计解决方案，可满足严苛环境和汽车引擎罩的应用需求。”

    AUIRS2117S的输出信号与输入信号同相，CMOS 施密特触发器输入端采用下拉电阻。AUIRS2118S的输出信号与输入信号反相，CMOS 施密特触发器输入端采用上拉电阻。两个器件都具有欠压闭锁功能，并提供电压范围在10V至20V之间的栅极驱动。

    两款新IC都采用了专有的高压集成电路 (HVIC) 和锁存CMOS技术，具有坚固耐用的单片构造和基准负电压尖峰免疫力，即使在极端开关条件和短路情况下，也能实现可靠运行。浮动通道可用来驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT，工作电压可以达到600V。

    有关产品现已接受批量订单。新器件符合 AEC-Q100 标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合有害物质管制指令 (RoHS) 。