IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片组不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技术，还具有业界领先的性能指数 (FOM) 及 DirectFET 封装卓越的开关和热特性，成为一个为高频率 DC-DC 开关应用而优化的解决方案。

    IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示："IR 通过改善关键参数不断提升功率 MOSFET 的性能。新款 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET 芯片组把低电荷及低导通电阻(RDS(on)) 与业界最低的栅极电阻 (Rg) 相结合，使传统上由典型同步降压转换器的同步和控制接口产生的传导损耗和开关损耗降到了最低。"

    IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封装提供低于1 mΩ 的导通电阻，使整个负载范围可保持极高的效率。新器件配有单片集成式肖特基二极管，能够减少与体二极管传导相关的损耗，并能实现反向恢复损耗，进一步提高解决方案的整体性能。IRF6798MPbF 还提供仅为 0.25 mΩ 的极低栅极电阻，避免了与 Cdv/dt 相关的击穿。

    IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具备低电荷和低导通电阻，可减少开关损耗及传导损耗，还可为快速开关提供极低的栅极电阻。