这些新的功率MOSFET 采用IR 最先进的硅技术，是该公司首批采用5x6mm PQFN 封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V 器件可实现业界领先的RDS(on)，在4.5V Vgs 下，最高仅为1.2mΩ，显著降低了手工工具等直流电机驱动应用的传导损耗。

    IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示："凭借在基准MOSFET 技术方面的丰富经验和不断努力，IR 推出了结合我们最新一代芯片与PQFN 封装技术的MOSFET 系列，实现了业界领先的RDS(on) ，继续开创卓越性能的先河。此外，在未来几个月，我们将按照产品路线图推出宽泛组合的PQFN 基准MOSFET 产品，以满足客户的需求。"

    25V IRFH5250TRPbF 和30V IRFH53xxTRPbF 器件都是专为DC 开关应用设计的，例如需要高电流承载能力和高效率的有源ORing 和直流电机驱动应用。IRFH5250TRPbF 具有极低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且栅极电荷 (Qg) 仅为52nC。而 IRFH5300TRPbF 的最高RDS(on) 只有1.4mΩ，Qg 达到了 50nC。

    如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不仅能够实现卓越的热性能，还可以根据给定的功率损耗要求，比现有解决方案使用更少的元件，节省电路板空间及成本。

    所有这些新器件均具有低热阻 (<0.5ºC/W)，并达到一级湿敏 (MSL1) 工业合格水平，也不含铅、溴化物和卤素，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。