SiC762CD的输入电压为3V～27V，可以提供高达35A的连续输出电流。集成的功率MOSFET针对0.8V～2.0V的输出电压进行了优化，标称输入电压为24V。在5V输出时，SiC762CD还可以为ASIC应用提供非常高的功率。

    SiC762CD先进的栅极驱动IC接收来自VR控制器的单个PWM输入，然后把输入信号转换成高边和低边MOSFET的栅极驱动信号。PWM输入与所有控制器兼容，而且特别支持带有三态PWM输出功能的控制器。

    器件的驱动IC具有能自动检测轻负载条件的电路，可以自动开启跳频模式工作(SMOD)，使系统在轻负载条件下也能获得高效率。自适应的死区时间控制能够进一步提高效率。保护功能包括欠压锁定、击穿保护，热报警功能可在结温过高时向系统告警。

    通过集成驱动IC和功率MOSFET，SiC762CD减少了功率损耗和与高频分立功率级相关的寄生阻抗效应。设计者可以采用高频开关以改善瞬态响应，节省输出滤波器的成本，在多相Vcore应用中实现尽可能高的效率密度。

    器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。