LTC3855 全部采用 N 沟道 MOSFET，在 4.5V 至 38V 的输入电压范围内工作，可产生 ±0.75% 准确度和 0.6V 至 12.5V 的输出电压。通过监控输出电感器 (DCR) 两端的压降或使用一个采样电阻器，可以对输出电流采样。可编程设定的 DCR 温度补偿在一个宽温度范围内保持准确和恒定的电流限制。内置 1.1Ω 栅极驱动器最大限度地降低 MOSFET 开关损耗，并允许使用多个并联连接的 MOSFET。可在 250kHz 至 770kHz 范围内通过编程设定一个固定工作频率，该固定工作频率也可用内部 PLL 同步至一个外部时钟。该器件仅为 90ns 的最短接通时间使 LTC3855 非常适用于高降压比应用。

    跟踪和排序功能允许多个电源的加电和断电优化。其它特点包括电流模式控制、一个用于 IC 电源的内置 LDO、可编程的软启动、两个电源良好信号和外部 V_CC 控制。

    LTC3855 采用 38 引线 SSOP 或 40 引线 6mm x 6mm QFN 封装。LTC3855E 在 -40°C 至 85°C 的温度范围内工作，千片批购价为每片 3.18 美元。工业级版本 LTC3855I 在 -40°C 至 125°C 的温度范围内工作，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 3.59 美元。两种版本都有现货供应。