AUIRS2016S 是一款高电压功率MOSFET 高侧驱动器，具有内部电压尖峰对地(Vs-to-GND) 充电 NMOS。这款器件的输出驱动器配备一个250mA 高脉冲电流缓冲级。相关沟道能够在高侧配置中驱动一个N 沟道功率MOSFET，可在高于地电压达150V的条件下工作。AUIRS2016S 还可提供负电压尖峰免疫性 (-Vs) ，防止系统在大电流切换和短路情况下发生灾难性事件。

    IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“AUIRS2016S 可用于柴油和汽油燃料直喷系统等节能应用，产品高度可靠耐用，能够满足汽车引擎罩下电机控制单元对性能的严格要求。”

    AUIRS2016S 符合AEC-Q100 标准，并可提供5V 兼容逻辑电平输入、高侧输出和内部低侧Vs 充电，CMOS 施密特触发器可以利用上拉电阻反相输入，并以下拉电阻对CMOS 施密特触发器进行反相复位。

    新器件采用IR 先进的高压IC 技术，融合了新一代高压电平转换和端接技术，能够提供卓越的电气过应力保护和更高的现场可靠性。