亿光电子(TSE:2393)推出三款新型高速度耦合器系列产品，8-pin DIP型高速光耦合器(phototransistor optocoupler)。此多款新型系列搭载高绝缘电压(5000Vrms, 1 minute) ，薄型的封装外型能够装设在受限制的空间中 (S1 option at 3.9mm max)以及提供宽度8mm 的外部爬电绝缘距离。

    此系列中的1MB高速度光耦合器系列提供多样电流转换比率规格(multiple current-transfer-ratio (CTR)) 以及宽广的操作温度(-55 °C to +100 °C)。10MBd 逻辑闸(Logic Gate)高速度耦合器提供操作温度从-40 C to +85 C稳定的效能和可到达35ns的狭窄 PWD(Pulse Width Distortion)。高增益达灵顿(High-Gain Split Darlington)系列在1.6mA的低输入电流下可达到 2000%(typ.)电流转换比率。当设计线性接收器、提供模拟式讯号或数字型线路接地绝缘，或是抑制一般常见的噪声时，这些搭载关键的特性的光耦合器皆可以提供绝佳的使用。

    1MBd 的高速光耦合器，包括6N135，6N136以及EL4502，皆为光电二级体偏压和输出晶体管的收集者及搭载分离连结的功能。和传统光耦合器相比，此功能将大大增加传输的速度。此系列也提供多样电流转换比率规格(CTR)范围，并且以高电压层次的传输转移取代传统脉冲波式传输。而6N137是一款10MBd 逻辑闸高速度光敏晶体管耦合器，搭配高速度光电积体线路侦测组件(High Speed Integrated Photo Detector)。应用在高数据传输能阻绝一般的外部噪声频率干扰。6N138及6N139是一款高增益达灵顿系列，它可以直接驱动在CMOS电路上并且在低输入电流下提供高电流转换比率(CTRs). 此系列可应用在低功率消耗(low power consumption), 线路接地(ground isolation)及高瞬间抵抗噪声能力 (High Transient Immunity)的需求产品.

    此8-pin DIP devices系列，如同亿光其它的 DIP型 optocouplers,皆可提供两种SMD类型(S and S1)。除了在高度限制应用上可以省下空间之外，SMD选项S1类型保留DIP封装的隔离电压5,000Vrms的需求优势。此多款系列产品皆符合(Pb)-free和RoHS-compliant无铅化的制程。将提供使用DIP型光耦合器的需求者另一个绝佳的选择。