LT8415 在每个半桥中集成的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 由单个输入引脚同步控制，而且从不在相同的时间接通，从而最大限度地提高了应用的系统可靠性 (例如：MEM 继电器)。内部 MOSFET 按大小排列，以驱动从几 pF 到几 nF 的容性负载，而不会出现问题。LT8415 在单个芯片上集成主开关、半桥开关、肖特基二极管和输出断接功能，采用 2mm x 3mm DFN 封装。LT8415 的 2.5V 至 16V 宽输入电压范围使它能够靠单节锂离子电池以高达 12V 的固定输入轨工作，从而提供高达 40V 的输出。通过用外部电压源驱动 FBP 引脚，可以动态调节输出电压。LT8415 可从单节锂离子电池在 34V 输出提供超过 700uA 的平均输出电流，从而使其非常适用于 MEM 继电器或偏置电源等应用。两款器件都采用独特的控制技术，而该方法在宽负载电流范围内提供高达 88% 的效率和低输出纹波 (<10mV_PK-PK)。其它特点包括集成的软启动和过压保护。LT8415 的 2mm x 3mm DFN 封装结合纤巧、低成本的陶瓷电容器和电感器，提供了一个占板面积非常紧凑的解决方案。

    LT8415EDDB 采用 12 引线 2mm x 3mm DFN 封装，有现货供应。以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 2.40 美元。而工业温度级版本 LT8415IDDB 也采用 12 引线 2mm x 3mm DFN 封装，并有现货供应。千片批购价为每片 2.76 美元。