新系列基准MOSFET 采用了IR 最新的沟道技术，可在4.5V Vgs 下实现非常低的RDS(on) ，显著改善了热效率。此外，这些器件具有更高的电流额定值，多余瞬变可以带来更多防护频带，并可减少由多个MOSFET 共享高电流的并行拓扑结构的元件数目。与典型封装额定值相比，由于封装电流额定值高达195A，TO-220、D2PAK 和TO-262 封装的改善超过了60%；与标准D2PAK 封装相比，7 引脚D2PAK 进一步降低了多达16%的RDS(on) ，功能更为完善。

    IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示："新推出的逻辑电平栅极驱动沟道MOSFET 具有基准RDS(on) ，能够由微控制器或弱电池驱动，提升其在轻负载条件下的效率。这些新元件非常适合高电流DC-DC 转换和DC 电机驱动应用。"

    新型逻辑电平沟道MOSFET系列的电压范围为40V 至100V。该系列已获得工业级和MSL1潮湿敏感度认证，更具备所有标准功率封装，包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7 引脚D2PAK。新元件不含铅并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。