新器件的封装电流额定值达到195A，比典型封装电流额定值高出60%。新款MOSFET 具有更低的导通电阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK 和TO-262 封装。此外，7 管脚D2PAK 封装的电流额定值达到240A 的卓越水平，使它成为市场上最耐用的表面贴装封装之一。这种7 管脚D2PAK 封装比D2PAK 封装具更低的RDS (on) 。

    IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这些封装提供的更高电流额定值有助于利用不需要的瞬态提供更多防护频带，而且还能让数枚MOSFET 分享高电流的平行式拓扑得以减少器件数目。”

    全新N 信道MOSFET 系列提供60V 至200V 的电压，并达到工业级别及湿度敏感度第一阶(MSL1) 标准。新器件均不含铅及符合电子产品有害物质限制指令(RoHS) 。