英特尔公司完成了下一代制造工艺的开发工作，进一步把芯片电路缩小至 32 纳米。英特尔计划将于 2009 年第四季度推出基于高能效、更密集的晶体管的产品。

    英特尔公司将于下周在旧金山举行的国际电子器件会议（IEDM）上披露 32 纳米制程技术的相关细节及其它主题信息。英特尔将在预定时间内完成 32 纳米制程技术的开发及处理器制造的前期准备工作，这意味着其产品与制程发展计划“Tick-tock” 战略再次得以成功实施。

    “Tick-tock” 战略指英特尔每隔 12 个月将交替推出全新的处理器微架构和领先的制程技术，这一独特的发展模式推动了产业的持续发展。随着明年 32 纳米芯片的推出，这将是英特尔公司连续第四年实现“Tick-tock” 战略目标。

    英特尔即将发布的 32 纳米论文及报告介绍了新的逻辑技术，融合了第二代高 K 金属栅极技术、面向关键图案形成层的 193 纳米浸没式光刻技术以及增强型沟道应变技术。这些特性进一步增强了英特尔处理器的性能和能效。与现有的其它 32 纳米技术相比，英特尔的制程技术拥有业内最高的晶体管性能和晶体管密度。

    英特尔高级院士兼制程架构与集成总监马博（Mark Bohr）表示：“对于基于英特尔架构的笔记本电脑、服务器和台式机，我们的制造能力和产品能够为其实现业内领先的计算性能和电池续航能力。正如我们今年所展示的，英特尔的制造战略和执行能力还让我们能够为移动互联网设备（MID）、消费电子设备、嵌入式计算机和上网本等提供全新的产品线。”

    英特尔在 IEDM 上发表的其它论文涉及：一款低功率 SoC 版英特尔 45 纳米制程；基于复合半导体的晶体管；提升 45 纳米晶体管性能的衬底工程；为 45 纳米和更高节点集成化学机械抛光；以及集成硅光电子调制器阵列。英特尔还将参与一个有关 22 纳米 CMOS 技术的短期课程。