东芝日前宣布推出43nm单层存储单元(SLC)的NAND闪存，产品容量从512Mb到64Gb，共有16种系列。新产品包括16Gb、32Gb和64Gb三种，结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片，这是市场上最高密度的芯片。新产品将从2009年第1季度开始逐步进入市场。

    SLC芯片读写次数多，且读写速度快，可靠性高。东芝开发新型SLC产品是为了满足不断变化的市场应用需求，改进型产品系列可以满足需要高读写速度与可靠性的移动电话、平板电视、办公自动化设备和服务器等的需求。

    近年来，东芝公司通过加速用于记忆卡和MP3播放器等市场的大容量数据存储的高密度多层存储单元(MLC)芯片的开发，推动了NAND闪存市场的发展。采用56nm和70nm制程技术的SLC芯片生产受到限制。东芝将通过采用更大范围的适合高水平数据存储的SLC闪存系列，不断扩大其满足不同嵌入式应用需求的高增值产品，通过先进制程技术的应用，推进量产。

新产品主要特征

    运用领先的43nm制程技术和增加数据存储的先进技术，将每块芯片的容量提升到了以往56nm的SLC产品的2倍从而为需要更高性能和可靠性的设备提供服务。

    与MCL NAND闪存相比，新产品的写入速度约为2.5倍*。

    *16Gb的MLC和SLC产品比较。

    注：8位=1字节