国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，成功开发出一种革命性的GaN 功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能，并降低能耗。

    开拓性GaN 功率器件技术平台是IR 基于该公司的GaN 器件专利技术，历经5 年研发而成的成果。

    IR 的GaN 功率器件技术平台有助于实现电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60 年来在电源转换专业知识方面的经验，可使该技术平台广泛应用于AC-DC 电源转换器、DC - DC 电源转换器、电机驱动器、照明系统及高密度音频和汽车系统领域。其系统解决方案产品组合和相关知识产权 (IP) 远远超越了其他的领先分立功率器件。

    高吞吐量、150 毫米GaN 器件及其制造工艺完全符合IR 公司倡导的低成本高效益的芯片制造要求，为客户提供世界一流的、可商业化的GaN 功率器件制造平台。

    IR 总裁兼首席执行官Oleg Khaykin 表示：“领先的GaN 器件技术平台和IP 组合符合我们为客户节约能源的核心使命，进一步提升了IR 公司在功率半导体器件领域的领导地位，预示着电源转换新纪元的到来。我们完全相信这种新器件技术平台对电源转换市场的潜在影响至少和30 多年前IR 推出的功率HEXFET?电源一样大。”

    几个新GaN 器件产品平台的原型将在2008 年11 月11 日至14 日于慕尼黑举办的Electronica 电子贸易展上向主要原始设备制造商展示。

    Khaykin 还表示：“我们认为，GaN 器件产品平台最早将在那些充分利用功率密度以及电源转换效率和成本的关键特性价值实现革命性转换能力的市场领域和设备中得以应用。＂