RJK0383DPA集成了两种不同类型的双功率MOSFET，构成了一个采用WPAK*1 （瑞萨封装代码）高热辐射封装的同步整流DC/DC转换器，其面积为5.1×6.1 mm，厚度为0.8 mm（最大）。

RJK0383DPA的功能概括如下：

< 产品背景 >

典型的通信设备，便携式PC、图形卡等信息设备，以及存储器、ASIC、图形处理单元（GPU）等元器件都使用不同的电源电压，需要使用多个同步整流DC/DC转换器。此外，最近几年由于更多功能和性能以及数据处理量的增加，独立的微处理芯片的功耗也在不断增加。这对具有更低电压和更高电流规格的同步整流DC/DC转换器提出了更高要求，当一个系统中使用的功率MOSFET数量增加时问题便会出现。

为了满足这些要求，瑞萨提高了其功率MOSFET产品的性能，并改进了封装配置。通过采用双封装配置提高了同步整流DC/DC转换器的电源效率，在没有增加功率MOSFET数量的基础上增强了电源输出电流。此外，瑞萨还开发和批量生产了在一个封装中集成两个功率MOSFET的双类型产品，进而减少了安装面积。不过，由于散热问题，双类型功率MOSFET产品的电源效率不像双封装功率MOSFET配置那样好，而且电流输出较低。很明显，市场需要一种具有改善电源效率的双类型功率MOSFET产品，来满足移动设备的小型化需求。

新型RJK0383DPA是采用先进的第十代低损耗工艺制造的双类型功率MOSFET，与瑞萨较早的双类型产品相比，它可以实现高出大约7%的电源效率。

< 产品细节 >

RJK0383DPA集成了两种不同类型的双功率MOSFET，一个作为高侧单元，另一个是低侧单元*²。高侧功率MOSFET具有1.5 nC（VDD=10V时）的漏-栅负载（Qgd），可以实现高开关速度和更高的效率。低侧功率MOSFET具有3.7 mΩ（典型值：4.5 V）的低导通电阻*³（RDS（on）），可以降低功率损耗。

此外，低侧功率MOSFET还在同一个芯片上集成了肖特基势垒二极管（SBD），以尽量降低彼此之间的布线电感*⁴。这就加快了DC/DC转换器死区时间流到肖特基势垒二极管的电流开关速度，从而进一步降低了损耗。它还可以有效地抑制开关期间的电压尖峰，进而减少噪声。

用于制造RJK0383DPA的第十代工艺可以实现比此前的第九代工艺更低的损耗和更高的效率。该器件的导通电阻约为30%以下，而栅电荷电容（Qg）和漏-栅负载（Qgd）的不同特性大约分别为27%和30%，两者都与较早的功率MOSFET产品的导通电阻相当。

RJK0383DPA的后续产品是两款不同额定输出电流产品-RJK0384DPA和RJK0389DPA，未来适用于其他DC/DC转换器电源指标的更多产品将加入该系列当中，以满足各种市场需求。

* 提及的产品名称、公司名称或商标均为其各自所有者拥有。

< 典型应用 >

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  用于笔记本电脑、图形卡、服务器和通信设备的同步整流DC/DC转换器。