华邦电子即将参加由Global Sources所主办的2008 IIC-China深圳(3/3-4 深圳会展中心)、上海(3/10-11 上海世贸商城)，届时也将展出华邦两大系列行动内存产品－低功率耗动态内存及虚拟静态内存，并推出一系列低功耗动态内存 512Mb Low Power DRAM。

低功率耗动态内存

    近年来手机市场成长的主要动力，除了新一代 3G 传输标准之兴起，行动商务化平台的运转，及诸多影音多媒体技术的发展下，大大带动了中高阶机种换机潮的兴起。手机的功能日异月新，新的功能陆续的推出，如彩色图片浏览、 JAVA 游戏下载、数字相机模块搭载…等，使得手机的内存中的 RAM Buffer 需要量大增，为因应高效高容量之内存需求， 2008 年将陆续推出符合 JEDEC 标准 Low Power DRAM 规格之产品，产品含盖  128 Mb ~ 512 Mb。

虚拟静态内存

    Pseudo SRAM 采取传统 DRAM 为核心；接口则设计与传统 SRAM 兼容的架构。另外 Pseudo SRAM 设计了一个 on-chip refresh circuit来解决DRAM cell 之Refresh，以增加读取速度并降低使用者在设计上的困扰。产品完整含盖 16Mb ~ 256Mb ； 本次所展出之 256Mb PSRAM 为现今市场上容量最大之 PSRAM 之 一 (符合 CellularRAM 2.0G 之标准)；除领先同业之外，与主要系统供货商建立更进一步的合作关系。

    华邦电子公司宣布与德国奇梦达公司(Qimonda AG)签订75奈米与58奈米沟槽式DRAM制程技术移转及产能合作协议，具体展现华邦不断运用先进制程技术，提升自有产品在全球市场的竞争力，及强化与国际大厂实质合作的伙伴关系。一方面华邦持续提供奇梦达高质量的标准型DRAM产品晶圆代工服务，另则华邦可以发展行动内存等利基型产品，经营自有品牌产销。未来华邦将可应用58奈米制程技术，开发Low Power SDRAM、Pseudo SRAM、消费电子产品DRAM等利基型内存产品，以满足行动通讯市场多元及快速成长的需求。