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  意法半导体(ST)推出微欧功率MOSFET晶体管,提高并联服务器电源的能效         
意法半导体(ST)推出微欧功率MOSFET晶体管,提高并联服务器电源的能效
[ 作者:佚名    转贴自:意法半导体    点击数:740    更新时间:2007-12-5    文章录入:pecker

    意法半导体(纽约证券交易所:STM)近日推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET,这款新产品的特性是导通电阻极低,达到微欧的水平,在要求严格的电源系统中,新产品有助于降低损耗,提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的,为了提高系统的可靠性,服务器广泛使用并联电源冗余结构。

    ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻Rds(on) 极低,只有800微欧 (0.8毫欧),为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。

    关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,MOSFET取代了二极管。现在功耗低的STV300NH02L在电源效率上又向前迈出了一大步。

    STV300NH02L采用PowerSO-10封装,订货1000件,单价4.50美元。

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